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大景深光场相机用三焦距液晶微透镜阵列的制备方法

更新时间:2023-04-20 11:45:19

专利名称

大景深光场相机用三焦距液晶微透镜阵列的制备方法

类型

发明专利

专利号

CN202011535899

申请号

CN202011535899

申请日

2020.12.23

法律状态

发明专利权授予

公开(公告)日

2021.03.23

主分类号

C23C14/04;G02F1/1343;C23C14/58;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/10;G02F1/1337;C23C14/02;C23C14/34

分类号

C23C14/34;G02F1/133723;C23C14/086;C23C14/10;C23C14/5873;C23C14/04;C23C14/185;C23C14/021;C23C14/58;G02F1/134309

申请(专利权)人

武昌理工学院

发明(设计)人

谢兴旺

地址

武汉市江夏区江夏大道16号

摘要

1.一种大景深光场相机用三焦距液晶微透镜阵列的制备方法,其特征在于:该方法是采用如下步骤实现的:步骤S1:选取两个玻璃衬底(1),并将两个玻璃衬底(1)进行清洗和烘干;步骤S2:制备下电极板;具体步骤如下:步骤S2.1:在第一个玻璃衬底(1)的上表面溅射第一个ITO膜层(2);步骤S2.2:在第一个ITO膜层(2)的上表面溅射第一个SiO2膜层(3);步骤S2.3:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第一个SiO2膜层(3)上刻蚀形成N个上下贯通且呈圆形的窗口,N个窗口共同构成第一个窗口阵列,第一个ITO膜层(2)通过第一个窗口阵列暴露出来,由此形成N个暴露区域;N为正整数,且N≥2;步骤S2.4:在第一个ITO膜层(2)的N个暴露区域中央一一对应地溅射N个呈圆形的镍膜层(4),N个镍膜层(4)共同构成第一个镍膜层阵列;步骤S2.5:在第一个SiO2膜层(3)的上表面和第一个镍膜层阵列的上表面共同溅射第二个ITO膜层(2);步骤S2.6:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第二个ITO膜层(2)上刻蚀形成N个上下贯通且呈圆形的窗口,N个窗口共同构成第二个窗口阵列,第二个窗口阵列与第一个窗口阵列一一正对;步骤S2.7:在第一个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射N个呈圆形的镍膜层(4),N个镍膜层(4)共同构成第二个镍膜层阵列;步骤S2.8:在第二个ITO膜层(2)的上表面和第二个镍膜层阵列的上表面共同溅射第二个SiO2膜层(3);步骤S2.9:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第二个SiO2膜层(3)上刻蚀形成2N个上下贯通且呈圆形的窗口,2N个窗口共同构成第三个窗口阵列,第三个窗口阵列的其中N个窗口与第二个窗口阵列一一正对,第二个ITO膜层(2)通过第三个窗口阵列的剩余N个窗口暴露出来,由此形成N个暴露区域;步骤S2.10:在第二个ITO膜层(2)的N个暴露区域中央和第二个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射2N个呈圆形的镍膜层(4),2N个镍膜层(4)共同构成第三个镍膜层阵列;步骤S2.11:在第二个SiO2膜层(3)的上表面和第三个镍膜层阵列的上表面共同溅射第三个ITO膜层(2);步骤S2.12:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第三个ITO膜层(2)上刻蚀形成2N个上下贯通且呈圆形的窗口,2N个窗口共同构成第四个窗口阵列,第四个窗口阵列与第三个窗口阵列一一正对;步骤S2.13:在第三个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射2N个呈圆形的镍膜层(4),2N个镍膜层(4)共同构成第四个镍膜层阵列;步骤S2.14:在第三个ITO膜层(2)的上表面和第四个镍膜层阵列的上表面共同溅射第三个SiO2膜层(3);步骤S2.15:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第三个SiO2膜层(3)上刻蚀形成3N个上下贯通且呈圆形的窗口,3N个窗口共同构成第五个窗口阵列,第五个窗口阵列的其中2N个窗口与第四个窗口阵列一一正对,第三个ITO膜层(2)通过第五个窗口阵列的剩余N个窗口暴露出来,由此形成N个暴露区域;步骤S2.16:在第三个ITO膜层(2)的N个暴露区域中央和第四个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射3N个呈圆形的镍膜层(4),3N个镍膜层(4)共同构成第五个镍膜层阵列;步骤S2.17:在第三个SiO2膜层(3)的上表面和第五个镍膜层阵列的上表面共同溅射第四个ITO膜层(2);步骤S2.18:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺将第四个ITO膜层(2)刻蚀成为3N个彼此独立且呈圆形的ITO膜层(2),3N个ITO膜层(2)一一对应地位于第五个镍膜层阵列的上方,3N个ITO膜层(2)共同构成ITO膜层阵列;其中,与第一个ITO膜层(2)电连接的N个ITO膜层(2)共同构成ITO膜层阵列的第一个子阵列,与第二个ITO膜层(2)电连接的N个ITO膜层(2)共同构成ITO膜层阵列的第二个子阵列,与第三个ITO膜层(2)电连接的N个ITO膜层(2)共同构成ITO膜层阵列的第三个子阵列;步骤S2.19:在ITO膜层阵列的上表面和第三个SiO2膜层(3)的暴露区域共同涂覆第一个聚酰亚胺膜层(5),由此制得下电极板;步骤S3:制备上电极板;具体步骤如下:步骤S3.1:在第二个玻璃衬底(1)的下表面溅射第五个ITO膜层(2);步骤S3.2:在第五个ITO膜层(2)的下表面涂覆第二个聚酰亚胺膜层(5),由此制得上电极板;步骤S4:组装上电极板和下电极板;具体步骤如下:步骤S4.1:采用粘结剂(6)将第一个聚酰亚胺膜层(5)的上表面左、右边缘与第二个聚酰亚胺膜层(5)的下表面左、右边缘粘结在一起,由此使得第一个聚酰亚胺膜层(5)的上表面和第二个聚酰亚胺膜层(5)的下表面之间形成空腔;步骤S4.2:将上电极板和下电极板直立放置,由此使得空腔的一端开口朝上,另一端开口朝下;然后,采用针管蘸取液晶(7),并将液晶(7)滴入空腔内,液晶(7)因重力作用和毛细扩张效应逐渐充满空腔;步骤S4.3:将上电极板和下电极板水平放置,并采用粘结剂(6)将第一个聚酰亚胺膜层(5)的上表面前、后边缘与第二个聚酰亚胺膜层(5)的下表面前、后边缘粘结在一起,由此将液晶(7)密封于空腔内,从而制得大景深光场相机用三焦距液晶微透镜阵列。